當開通半橋電路下橋臂IGBT VT2時,上橋臂IGBT VT1就會產生電壓快速上升dUCE/dt，其在密勒電容CGC產生電流iGC，即：

此電流iGC將通過IGBT內部閘極電阻RGint、外部閘極電阻RGext，和驅動內部電阻RDr，最後到電源地(這裡,電源接地和IGBT VT1射極同電位)，並產生閘極電壓，振幅為：

一旦這時閘極電壓UGE高於IGBT的閾值電壓UGE(TO)，就會產生寄生開通。如果IGBT VT2已經導通，這將導致短路。還好這類短路持續的時間很短,通常大約是10~100ns，一般IGBT都能承受。

在功率半導體的寄生參數中，除了寄生電容CGC，還有另一個寄生電容CGE。部分iGC電流將會透過此電容直接到電源接地。

英飛凌IGBT7採用微溝槽技術，溝槽密度高，所以可以多做一些溝槽，其中一部分做成偽溝槽，這樣可以優化CGC和CGE比值，減小誤導通風險，使得IGBT更好用。

SiC MOSFET的dUCE/dt較高，好在SiC的密勒電容只有IGBT的十分之一左右。

工程師可能也會想到在閘極和射極之間外接個電容CGE也可以降低密勒效應，但要注意的是額外電容CGE將影響IGBT的開通特性（參考資料2中的第6章6.6.2節）。通常,為了抑製或衰減不需要的振盪,可以用一個小電阻和電容串聯。

外接個電容CGE分流是一種古老的思路，積體電路時代一定會考慮用主動元件來實現同樣或更好的功能，這就是米勒鉗位功能。

以EiceDRIVER™ F3為例，該閘極驅動器增加了一個CLAMP管腳，跳過外接的閘極電阻RG直接連接到功率管的閘極，並確保盡可能低的寄生電感。 CLAMP功能腳在鉗位非激活狀態下監控閘極電壓，一旦閘極電壓相對於VEE2低於2V，便開通CLAMP與VEE2之間MOSFET，提供米勒電流低阻抗通路，防止寄生導通。鉗位電路在閘極驅動器再次開通前保持啟動狀態。

當米勒鉗位訊號走線電感比較大或高功率元件米勒電流比較大的情況下，驅動晶片自帶的米勒鉗位表現並不理想。一般晶片的米勒鉗位能力只有2A左右，這會降低高功率IGBT的鉗位能力。這時可以選擇具有外部MOSFET的預驅動器輸出的驅動晶片產品，比如圖6的英飛凌1ED3491。

外部的小訊號N通道MOSFET電晶體與驅動器CLAMPDRV腳相連，可實現大電流的鉗位。如圖6將MOSFET連接到CLAMPDRV輸出、VEE2接腳和IGBT閘極之間。由於採用了米勒預驅動配置，鉗位電流僅受外部鉗位MOSFET電晶體的限制。根據外部MOSFET的不同，米勒電流鉗位可達20A。鉗位 MOSFET必須靠近IGBT閘極，以盡量減少米勒電流洩放路徑的電阻和電感。