
英飛凌榮獲“年度優秀功率元件產品獎”
8月26日上午,2025年度半導體市場創新表現獎在elexcon展會期間揭曉得獎名單。英飛凌憑藉第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V分立器件以及1200V Easy C系列碳化矽模組,以其卓越的產品性能和創新的技術設計,榮獲 “年度優秀功率元件產品獎”,其專為下一代邊緣AI與控製而打造的微控制器PSOC™ Edge榮獲“年度優秀AI晶片獎”。
英飛凌榮獲“年度優秀功率元件產品獎”
8月26日上午,2025年度半導體市場創新表現獎在elexcon展會期間揭曉得獎名單。英飛凌憑藉第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V分立器件以及1200V Easy C系列碳化矽模組,以其卓越的產品性能和創新的技術設計,榮獲 “年度優秀功率元件產品獎”,其專為下一代邊緣AI與控製而打造的微控制器PSOC™ Edge榮獲“年度優秀AI晶片獎”。
英飛凌榮獲“年度優秀AI晶片獎”
該獎項由elexcon展會主辦單位聯合業界權威媒體電子發燒友網等電子工程師媒體共同舉辦,旨在表彰在雙線技術創新及供應鏈服務中表現卓越的企業。這項榮譽再次彰顯了英飛凌在推動電力電子技術發展中的重要作用,進一步鞏固了公司在業界的領先地位。英飛凌工業與基礎設施業務大中華區市場總監王丹,消費、計算與通訊業務高級產品經理黃熘代表公司出席了頒獎典禮並領獎。
1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及 TO - 247 Plus Reflow封裝
面對高母線電壓應用進行了最佳化設計,能夠輕鬆適應母線電壓大於1000V的場景,該系列產品的功率管腳加粗至2mm,使得裝置能夠承受更大的電流,背板回流焊的設計,提升了產品的可靠性,為高壓電力電子系統提供了可靠的解決方案。
1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列碳化矽模組
最新推出的CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列1200V碳化矽模組全新封裝,在業界首次發布就引起廣泛關注。該產品集多項創新技術於一身。在晶片技術上,憑藉先進的G2晶片技術,實現了RDS(on)*A降低25%、輸出功率提高約30%,效率更是達到業界頂尖水準。
PSOC™ Edge微控制器
PSOC™ Edge是專為新一代邊緣AI與控製而打造的邊緣AI 微控制器,其顯著特點是具備硬體的機器學習(ML)加速功能。這款全新的微控制器系列,透過降低人機互動的難度,並為終端應用增添情境感知能力,讓終端產品變得更加智慧且易於直觀操作,進而為終端用戶帶來更卓越的體驗。同時,借助嵌入式Edge Protect技術,此系列產品還能提供強大的隱私與安全保護。
PSOC™ Edge 裝置基於採用多域架構設計,以實現高效能與精細化功耗最佳化的雙重目標。高效能的 Arm® Cortex®-M55 擁有400Mhz的算力,加上 Helium™ DSP 提供支援指令集強化運算能力,並搭配128MACs算力的Arm® Ethos™-U55的NPU,可顯著提升機器學習任務的執行效率;在低位功率功耗下,200Mhz 的執行效率降低主頻的執行效率;神經網路加速器協同工作。專為「始終在線」的邊緣人工智慧應用場景而優化,可在極低能耗狀態下實現持續感測與即時回應。 PSOC Edge系列同時具備2.5D GPU圖形加速器,讓終端產品可以輕易取得智慧型手機般的人機互動介面,大幅提升使用者體驗感。
這種異質架構在不同應用中透過動態分配算力,在維持系統高性能輸出的同時,有效優化整體能效表現,為智能終端設備在複雜人機交互與實時決策場景下的長期穩定運行提供技術保障,例如在運動手錶,AI眼鏡,便攜錄音設備上等等,PSOC edge系列都能讓終端產品賦能AI,在競爭激烈的市場中脫穎而出。
英飛凌汽車業務大中華區高級現場應用工程師趙蘇晉(右) 出席頒獎典禮
在elexcon展會上,經汽車電子業內人士及媒體共同評選後,英飛凌汽車業務榮獲"汽車電子應用先鋒獎"。英飛凌多款汽車級MCU以高性能架構及ASIL-D功能安全認證,賦能輔助駕駛、智能座艙及IGBT功率半導體,提升電動車效率,協助綠色出行未來。英飛凌汽車電子產品覆蓋50+主流車企,與國內主流車廠進行深度合作,MCU市場份額穩居全球第一。透過完善的工具鏈與本土化策略,英飛凌推動軟體定義汽車與智能轉型,成為汽車電子產業當之無愧的先鋒。
文章來源:英飛凌官微
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