Q3 目前碳化矽1200V市場英飛凌正在高速滲透,可否介紹下對於電壓要求等級更高的市場(如3300V)需求何時會推出量產產品,如何看待高壓市場的碳化矽需求?
A:光伏,電動車,儲能充電等電力電子系統向更高電壓發展已成為產業的必然趨勢,這對半導體裝置也提出了高耐壓要求。
相較於矽基高壓元件,碳化矽開關元件擁有更高的頻率和更小的導通電阻以及開關損耗,在大功率或超大功率應用領域有著天然的應用優勢,也必將伴隨著應用的發展 向著更高的電壓等級蓄力發展。
英飛凌在碳化矽晶片技術、裝置設計和應用上累積了20多年豐富經驗和創新的技術,並且不斷推陳出新,推出更高電壓等級的SiC功率裝置,在工業級與車規級解決方案並行 力,橫跨600V至3300V規格。
自2022年2000V CoolSiC™ MOSFET推出Easy3B封裝的功率模組,今年2000V MOSFET模組系列新添全新工業標準封裝產品-62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H產品。
此外,2023年英飛凌推出3.3kV XHP2 CoolSiC™ MOSFET功率模組,專為牽引應用量身打造。 此模組不僅滿足牽引等嚴苛的運轉條件,還能使列車馬達和變頻器的總能耗降低10%,有助於打造更環保、更安靜的列車。 這些特性對於未來的列車交通極為重要。
正是由於SiC MOSFET的出色性能,其在光伏逆變器、UPS、ESS、電動車充電、燃料電池、馬達驅動和電動車等領域都有越來越廣泛的應用。