英飛凌IPAC | CoolSiC™碳化矽直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發佈的3300V高壓SiC產品組合系列，一是漏極-源極導通電阻2.0mΩ（25℃條件下），標稱電流1000A的模組；二是漏極-源極導通電阻2.6mΩ（25℃條件下），標稱電流750A的模組。

兩款模組產品均由集成體二極體的SiC MOSFET組成，並通過英飛凌可靠的.XT互連技術置於低電感XHP™ 2封裝中。憑藉高功率密度、高品質、高可靠性的優勢，可以從容應對運行環境要求更為嚴苛的工業級應用。

6月25日 14：00，我們將為您揭開CoolSiC™MOSFET 3300V的神秘面紗，解讀論文、提綱挈領高壓碳化矽產品的設計要點。

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1）專業論文解讀，探索高壓CoolSiC™ MOSFET 晶片技術的獨特之處

2）深入瞭解使用全.XT技術的XHP2封裝，如何助力高效可靠性的極致發揮

3）純技術乾貨分享，帶您領略CoolSiC™ MOSFET的前沿產品與應用技術