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Jul . 2025

ROHM SiC MOSFET導入TOYOTA全新電動車「bZ5」

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應用於牽引逆變器 助力延長續航里程並提升性能

搭載半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,已導入TOYOTA MOTOR CORPORATION.(以下稱 TOYOTA)針對中國市場的全新跨界電動車「bZ5」的牽引逆變器。


「bZ5」作為TOYOTA與BYD TOYOTA EV TECHNOLOGY(以下稱 BTET)、一汽豐田汽車有限公司

(以下稱 一汽豐田)聯合開發的跨界電動車,由一汽豐田於2025年6月正式發售。


本次導入的功率模組由ROHM與正海集團合資公司—上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)進行量產供貨,其中,以SiC MOSFET為核心的ROHM功率解決方案,為這款新型電動車的續航里程和性能做出了重要貢獻。


ROHM目前正加速推動SiC功率元件的開發進度,計畫於今年完成下一世代(即第5代)SiC MOSFET的生產線建設,並提前佈局第6代和第7代產品的市場導入規劃。


今後ROHM將繼續致力提升元件性能和生產效率,透過強化裸晶片、Discrete元件、功率模組等各種形態的全方位SiC供貨體系,進一步推動SiC技術普及,為實現永續移動社會貢獻力量。

關於「bZ5」

是由TOYOTA與BTET、一汽豐田等企業聯合開發的跨界電動車,以「Reboot」為開發理念,採用動感且具標誌性的造型設計。針對Z世代年輕顧客需求,打造出兼具個性化與舒適性的駕乘空間。續航能力方面,低配版本可達550公里,高配版本則實現了630公里(CLTC標準)的續航表現。

該車款已於2025年4月22日(第21屆上海國際車展開幕前日)開始預訂,引發市場高度關注。


關於上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)

上海海姆希科半導體有限公司是由正海集團(中方)與ROHM(日方)共同成立的中日合資企業。HAIMOSIC(海姆希科)主要從事碳化矽半導體功率模組的研發、設計、製造及銷售,預期產能達36萬個/年。總投資金額為4.5億元人民幣,資本額為2.5億元人民幣。如欲瞭解詳情,請至HAIMOSIC官網

http://www.haimosic.com/en/)。

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